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产品简介

Sensofar S-neox 3D光学轮廓仪应用于半导体、光学器件及超精密加工等领域，具备观测表面形貌、进行2D/3D尺寸测量及图像自动拼接功能。该设备纵向分辨率达0.01nm，支持白光干涉、共聚焦等多种模式一键切换，适用于不同精度要求的样品分析。

该设备具有高分辨率、大景深观察，纵向分辨率达0.01nm；能够进行表面粗糙度、平整度、台阶高度等微结构测量；

设备同时拥有白光干涉、相位差干涉、共聚焦、多焦面叠加等几种不同的测量功能技术，在使用中可以一键切换几种不同的测量模式，针对不同表面结构和不同精度要求的样品都能完成测量分析。

芯片探针压痕3D检测

微米损伤精准量化方案

在半导体芯片的最终测试环节，一根极细的探针会精确地落在芯片表面的焊垫上，施加压力，导通电路，以判断这颗芯片是否功能完好。这看似一次轻轻的“触摸”，却会在柔软的焊垫表面留下一个微米级的印记——探针压痕。这个印记的大小、深度和形貌，直接关系到芯片的电气连接可靠性与长期使用稳定性，但传统的二维显微镜很难对其给出一个令人信服的量化答案。

探针压痕的形成，本质上是材料力学与电学性能的一次微妙博弈。为了获得稳定的接触电阻，探针必须施加足够的压力以刺破焊垫表面的氧化层。然而，一旦压力过大或探针状态不佳，就会产生过深的压痕甚至造成焊垫材料的挤出与堆积。在芯片制程不断微缩、焊垫尺寸和间距越来越小的趋势下，一道深度异常的压痕就可能成为芯片在现场应用中过早失效的导火索。

过去，工程师们通常只能通过经验或放大后的平面图像来“猜测”压痕的好坏，这种方式不仅主观性强，更难以发现那些隐藏在表面之下的潜在风险。精准量化印记深浅，是评估测试工艺合理性、规避批量报废的关键质控环节。

使用50倍干涉镜头测量

探针印记的三维轮廓图

Sensofar S neox 3D光学轮廓仪以干涉技术为核心，搭载50倍物镜，可在2秒内完成目标区域高速扫描，以纳米级纵向分辨率精准捕获印记深度信息。借助SensoPRO分析插件，系统能够自动执行批量数据处理，统计输出最大深度、平均深度等关键指标。整个测量流程采用非接触光学方式，避免对样品造成任何机械损伤，在完整量化压痕损伤程度的同时，为探针压力工艺参数的优化调整提供可信赖的数据支撑。